{"id":13533,"date":"2024-12-16T16:28:23","date_gmt":"2024-12-16T15:28:23","guid":{"rendered":"https:\/\/www.cinam.univ-mrs.fr\/cinam\/?p=13533"},"modified":"2024-12-16T16:28:23","modified_gmt":"2024-12-16T15:28:23","slug":"persistance-dun-effet-rashba-geant-dans-des-films-ultraminces-de-gete","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.cinam.univ-mrs.fr\/cinam\/2024\/12\/16\/persistance-dun-effet-rashba-geant-dans-des-films-ultraminces-de-gete\/","title":{"rendered":"Persistance d’un effet Rashba g\u00e9ant dans des films ultraminces de GeTe"},"content":{"rendered":"

Un des enjeux soci\u00e9taux actuels vise \u00e0 la r\u00e9duction de la consommation \u00e9lectrique des composants \u00e9lectroniques. Une approche r\u00e9cemment d\u00e9velopp\u00e9e consiste en un contr\u00f4le ferro\u00e9lectrique d\u2019un transport de charges ou de spins. Dans ce cadre, GeTe appara\u00eet comme un candidat \u00e0 fort potentiel car sa structure de bande \u00e9lectronique se caract\u00e9rise par une polarisation en spin (i)<\/i> induite par un fort couplage spin-orbite de type Rashba et (ii)<\/i> contr\u00f4lable par renversement de la polarisation ferro\u00e9lectrique du mat\u00e9riau. <\/span><\/p>\n

A l’heure actuelle, une seule \u00e9tude s’est int\u00e9ress\u00e9e \u00e0 la d\u00e9pendance de l’effet Rashba en fonction de l’\u00e9paisseur des films minces de GeTe. Une d\u00e9croissance de cet effet en dessous de 5nm a \u00e9t\u00e9 observ\u00e9e jusqu’\u00e0 sa disparition en dessous de 3nm. Dans le cadre d’une collaboration entre plusieurs laboratoires fran\u00e7ais, nous avons montr\u00e9, par des mesures de spectroscopie de photo\u00e9mission r\u00e9solue en angles <\/span> (ARPES) <\/span>en accord avec des calculs de structure de bandes \u00e9lectroniques ab initio<\/i>, qu’en modifiant les conditions d’\u00e9laborations des films minces, un effet Rashba g\u00e9ant persistait dans des films de 1nm d’\u00e9paisseur. Ces r\u00e9sultats ouvrent de nouvelles perspectives quant \u00e0 la r\u00e9duction de taille des composants \u00e9lectroniques faible consommation.
\n<\/span><\/p>\n

Lien DOI :<\/p>\n

https:\/\/pubs.acs.org\/doi\/10.1021\/acs.nanolett.4c03281<\/a><\/p>\n

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