Jean-louis Lazzari
Spintronique Nanoélectronique Optoélectronique : Hétérostructures Nanostructures - Croissance Interfaces Semiconducteurs Oxide Métal - Propriétés Electriques Optiques Magnétiques - Composants
Mots clés des sections/CID du Comité national Section 5 : Surfaces, interfaces, croissance, autoorganisation, micro-, nano- et hétérostructures Section 5 : Instrumentation, techniques expérimentales Section 6 : Magnétisme et nanomagnétisme, matériaux magnétiques, électronique de spin Section 6 : Semiconducteurs, hétérostructures et boîtes quantiques Section 6 : Effets de dimensionnalité et nanostructuration Section 6 : Théorie, modélisation et simulations numériques. Section 8 : Micro et nanotechnologies, matériaux fonctionnels, instrumentation Section 8 : Films minces et hétérostructures, processus de surface et d’interfaces, intégration et compatibilité Section 8 : Nouveaux concepts de composants et fonctions pour l’électronique, l’optoélectronique et la photonique
1 –Physique quantique des hétérostructures à base SiGe/Si pour leurs applications en micro- optoélectronique (diodes tunnel résonantes, photodétecteur et émetteur IR 1.55 um interbande à MQWs à design W) ou à base de III-V (laser IR). 2- Electronique de spin: mémoires magnétiques MRAM à jonction tunnel MIM ou basées sur l’injection de spin dans le silicium via des structures MIS. Quelle technologie de dépôt, quels oxydes tunnel, quelles caractéristiques structurales, physico-chimiques, électriques et magnétiques? 3- Fonctions clés de la manipulation de spin: a) pour l’injection, Modèle Schrödinger–Poisson-Eqs. Cinétiques du courant tunnel dépendant du spin dans les MIS incluant les effets de scattering et de dépolarisation, calculs ab-initio des structures électroniques et des propriétés magnétiques des semi-conducteurs II-IV-V2 dopés Mn; b) pour la détection, modélisation d’une spin-LED (émission polarisée) basée sur l’injection avec des MIS et la détection avec des MQWs SiGe/Si.
1- 1989-1993: Équipe de Micro-optoélectronique de Montpellier, EM2, URA CNRS 392, Université de Montpellier II, Sciences et Techniques du Languedoc, Place E. Bataillon, 34095 Montpellier Cedex 05. Directeur du laboratoire: Pr Claude Alibert, Directeur de thèse: Pr André Joullié Thèse de Doctorat soutenue le 8 Juillet 1993 - Électronique, Optronique et Systèmes. ”Matériaux de l'Électronique et de l'Ionique du Solide / Matière Condensée” Étude des hétérostructures GaInAsSb/GaSb et GaAlAsSb/GaSb et de composants lasers et détecteurs à base de GaSb opérant entre 2.0 et 2.5 micromètres. 2- 1994-1995 Recherche post doctorale Paul Drude Institut für Festkörperelektronik, PDI, Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, Allemagne. Directeur du laboratoire: Pr K. H. Ploog, Directeur Département Microstructures: Dr L. Däweritz • Épitaxie par Jets Moléculaires (MBE) et caractérisations optiques de structures semi-conductrices à basse dimensionnalité (Croissance auto-organisée de boîtes quantiques d´InAs dans une matrice de GaAs, Croissance de puits quantiques d'InAs contraint sur GaAs par la méthode du surfactant virtuel).