Jean-louis Lazzari

Axe

Nanomatériaux

E-mail

lazzari@cinam.univ-mrs.fr

Phone

+33(0)6 62 92 28 12

Fax

+33(0)4 91 41 89 16

Localisation

R2

Grade

CRHC

Fonction

chercheur

lazzari.jpg

Activité

Spintronique Nanoélectronique Optoélectronique : Hétérostructures Nanostructures - Croissance Interfaces Semiconducteurs Oxide Métal - Propriétés Electriques Optiques Magnétiques - Composants

Thèmes

Mots clés des sections/CID du Comité national Section 5 : Surfaces, interfaces, croissance, autoorganisation, micro-, nano- et hétérostructures Section 5 : Instrumentation, techniques expérimentales Section 6 : Magnétisme et nanomagnétisme, matériaux magnétiques, électronique de spin Section 6 : Semiconducteurs, hétérostructures et boîtes quantiques Section 6 : Effets de dimensionnalité et nanostructuration Section 6 : Théorie, modélisation et simulations numériques. Section 8 : Micro et nanotechnologies, matériaux fonctionnels, instrumentation Section 8 : Films minces et hétérostructures, processus de surface et d’interfaces, intégration et compatibilité Section 8 : Nouveaux concepts de composants et fonctions pour l’électronique, l’optoélectronique et la photonique

Recherche

1 –Physique quantique des hétérostructures à base SiGe/Si pour leurs applications en micro- optoélectronique (diodes tunnel résonantes, photodétecteur et émetteur IR 1.55 um interbande à MQWs à design W) ou à base de III-V (laser IR). 2- Electronique de spin: mémoires magnétiques MRAM à jonction tunnel MIM ou basées sur l’injection de spin dans le silicium via des structures MIS. Quelle technologie de dépôt, quels oxydes tunnel, quelles caractéristiques structurales, physico-chimiques, électriques et magnétiques? 3- Fonctions clés de la manipulation de spin: a) pour l’injection, Modèle Schrödinger–Poisson-Eqs. Cinétiques du courant tunnel dépendant du spin dans les MIS incluant les effets de scattering et de dépolarisation, calculs ab-initio des structures électroniques et des propriétés magnétiques des semi-conducteurs II-IV-V2 dopés Mn; b) pour la détection, modélisation d’une spin-LED (émission polarisée) basée sur l’injection avec des MIS et la détection avec des MQWs SiGe/Si.

Parcours

1- 1989-1993: Équipe de Micro-optoélectronique de Montpellier, EM2, URA CNRS 392, Université de Montpellier II, Sciences et Techniques du Languedoc, Place E. Bataillon, 34095 Montpellier Cedex 05. Directeur du laboratoire: Pr Claude Alibert, Directeur de thèse: Pr André Joullié Thèse de Doctorat soutenue le 8 Juillet 1993 - Électronique, Optronique et Systèmes. ”Matériaux de l'Électronique et de l'Ionique du Solide / Matière Condensée” Étude des hétérostructures GaInAsSb/GaSb et GaAlAsSb/GaSb et de composants lasers et détecteurs à base de GaSb opérant entre 2.0 et 2.5 micromètres. 2- 1994-1995 Recherche post doctorale Paul Drude Institut für Festkörperelektronik, PDI, Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, Allemagne. Directeur du laboratoire: Pr K. H. Ploog, Directeur Département Microstructures: Dr L. Däweritz • Épitaxie par Jets Moléculaires (MBE) et caractérisations optiques de structures semi-conductrices à basse dimensionnalité (Croissance auto-organisée de boîtes quantiques d´InAs dans une matrice de GaAs, Croissance de puits quantiques d'InAs contraint sur GaAs par la méthode du surfactant virtuel).

Publications


Enhancement of physical properties of stain-etched porous silicon by integration of WO3 nanoparticles

M. Alaya, R. Benabderrahmane Zaghouani, S. Khamlich, J.-L. Lazzari, W. Dimassi

Thin Solid Films 645 51-56 (2018)

Self-Consistent vertical transport calculations in AlxGa1-xN/GaN based resonant tunneling diode

A. Rached, A. Bhouri, S. Sakr, J.-L. Lazzari, H. Belmabrouk

Superlattices and Microstructures 91 37-50 (2016)

Releasing confined holes from type-II quantum dots by inelastic scattering with hot-photoelectron

A. Kechiantz, A. Afanasev, J.-L. Lazzari

Solar energy Materials and Solar Cells 144 767-774 (2016)

Performance evaluation of high-detectivity p-i-n infrared photodetector based on compressively-strained Ge0.964Sn0.036/Ge multiple quantum wells by quantum modelling

N. Yahyaoui, N. Sfina, J.-L. Lazzari, A. Bournel, M. Said

Semiconductor Science and Technology 30 8 085016 (2015)

Stark shift of the absorption spectra in Ge/Ge1−xSnx/Ge type-I single QW cell for mid-wavelength infra-red modulators

N. Yahyaoui, N. Sfina, J.-L. Lazzari, A. Bournel, M. Said

Superlattices and Microstructures 85 629-637 (2015)

Electron transport through cubic InGaN/AlGaN resonant tunneling diodes

N. Yahyaoui, N. Sfina, S. Abdi-ben Nasrallah, J.-L. Lazzari, M. Said

Computer Physics Communications 185 12 3119-3126 (2014)

Modelling of the quantum transport in strained Si/SiGe/Si superlattices based p-i-n infrared photodetectors for 1.3-1.55 μm optical communication

N. Sfina, N. Yahyaoui, M. Said, J.-L. Lazzari

Modelling and Numerical Simulation of Material Science 4 37-52 (2014)

Wave-function engineering and absorption spectra in Si0.16Ge0.84/Ge0.94Sn0.06/Si0.16Ge0.84 strained on relaxed Si0.10Ge0.90 type I quantum well

N. Yahyaoui, N. Sfina, J.-L. Lazzari, A. Bournel, M. Said

Journal of Applied Physics 115 3 033109 (2014)

Modification of band alignment at interface of AlyGa1-ySb/AlxGa1-xAs type-II quantum dots by concentrated sunlight in intermediate band solar cells with separated absorption and depletion regions

A. Kechiantz, A. Afanasev, J.-L. Lazzari

Proceedings of SPIE. Bellingham: The International Society for Optical Engineering 8620 86200K (2013)

Intersubband transitions in quantum well mid-infrared photodetectors

N. Zeiri, N. Sfina, S. Abdi-ben Nasrallah, J.-L. Lazzari, M. Said

Infrared physics and Technology 60 137-144 (2013)

Computation of the electronic structure and direct-gap absorption spectra in Ge-rich Si1-xGex/Ge/Si1-xGex type-I quantum wells

N. Yahyaoui, N. Sfina, J.-L. Lazzari, A. Bournel, M. Said

European Physical Journal B 86 2 59 (2013)

Si/S1-xGex/Si-based quantum wells infrared photodetector operating at 1.55 mu m

N. Sfina, J.-L. Lazzari, M. Said

Superlattices and Microstructures 52 4 901-912 (2012)

Electronic Properties of GaSb Based Heterostructure for 3 um Emission

A. Jdidi, S. Abdi-ben Nasrallah, N. Sfina, M. Saïd, J.-L. Lazzari

Sensor Letters 9 6 2257-2260 (2011)

A multi-color quantum well photodetector for mid- and long-wavelength infrared detection

A. Jdidi, N. Sfina, S. Abdi-ben Nassrallah, M. Saïd, J.-L. Lazzari

Semiconductor Science and Technology 26 12 125019 (2011)

A theoretical study of band structure properties for III–V nitrides quantum wells

S. Ben Rejeb, A. Bhouri, M. Debbichi, J.-L. Lazzari, M. Said

Superlattices and Microstructures 50 4 277-288 (2011)

Different Architectures of Relaxed Si1-xGex/Si Pseudo-Substrates Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition: Structural and Morphological Characteristics

M. Raïssi, G. Regula, C. Hadj Belgacem, N. Rochdi, S. Bozzo-escoubas, C. Coudreau, B. Holländer, M. Fnaiech, F. Arnaud D'avitaya, J.-L. Lazzari

Journal of Crystal Growth 328 18-24 (2011)

Surface morphology and structure of ultra-thin magnesium oxide grown on (100) silicon by atomic layer deposition oxidation

N. Rochdi, K. Liudvikouskaya, M. Descoins, M. Raïssi, C. Coudreau, J.-L. Lazzari, H. Oughaddou, F. Arnaud D’avitaya

Thin Solid Films 519 19 6302-6306 (2011)

AII-BIV-CV2 ternary semiconductors for photovoltaics

A.V. Krivosheeva, V.L. Shaposhnikov, V.E. Borisenko, F. Arnaud D’avitaya, J.-L. Lazzari

Global Journal of Physical Chemistry 2 2 201-205 (2011)

Electrical field and temperature effects in 2D-2D resonant tunneling diodes based on cubic InGaN/AlGaN

A. Bhouri, N. Yahyaoui, M. Debbichi, H. Mejri, J.-L. Lazzari, M. Said

Physica Status solidi (c) 8 5 1544-1547 (2011)

Spin polarization and spin-dependent transmittance in II-VI diluted magnetic semiconductor heterostructure

S. Mnasri, N. Sfina, S. Abdi-ben Nasrallah, J.-L. Lazzari, M. Said

Journal of Magnetism and Magnetic Materials 323 334-339 (2011)

Interfacial solid phase reactions in cobalt/aluminum oxide/silicon(001) system

M. Raissi, S. Vizzini, G. Langer, N. Rochdi, H. Oughaddou, C. Coudreau, S. Nitsche, F. Arnaud D'avitaya, B. Aufray, J.-L. Lazzari

Thin Solid Films 518 21 5992-5994 (2010)

Inter-Diffusion of cobalt and silicon through an ultrathin aluminum oxide layer

T. El Asri, M. Raissi, S. Vizzini, A. El Maachi, E.L. Ameziane, F. Arnaud D’avitaya, J.-L. Lazzari, C. Coudreau, H. Oughaddou, B. Aufray, A. Kaddouri

Applied Surface Science 256 2731-2734 (2010)

A theoretical study of laser structures based on diluted nitide InAsN for mid-infrared operation

M. Debbichi, S. Ridene, H. Bouchriha, A. Ben Fredj, M. Saïd, J.-L. Lazzari, Y. Cuminal, P. Christol

Semiconductor Science and Technology 24 8 085010 (2009)

Simulation of p–i–n heterojunctions built on strain-compensated Si/Si0.40Ge0.60/Si multiple quantum wells for photodetection near 1.55 µm

N. Sfina, J.-L. Lazzari, Y. Cuminal, P. Christol, M. Said

Thin Solid Films 517 1 388-390 (2008)

Coulomb interaction of electron gas in Si/Si1-xGex/Si W-designed type II multiple quantum wells

N. Sfina, J.-L. Lazzari, Y. Cuminal, P. Christol, M. Said

Materials Science and Engineering C 28 5-6 939-942 (2008)

Optical gain calculation of mid-infrared InAsN/GaSb quantum-well laser for tunable absorption spectroscopy

M. Debbichi, A. Ben Fredj, A. Bhouri, M. Said, J.-L. Lazzari, Y. Cuminal, A. Joullie, P. Christol

Materials Science and Engineering C 28 5-6 751-754 (2008)

Nitrogen effect on optical grain and radiative current density for mid-infrared InAs(N)/GaSb/InAs(N) quantum-well laser

M. Debbichi, A. Ben Fredj, M. Said, J.-L. Lazzari, Y. Cuminal, P. Cristol

Physica E 40 3 489-493 (2008)

Structural, electronic and optical properties of II-IV-N-2 compounds (II=Be,Zn;IV=Si,Ge)

V.L. Shaposhnikov, A.V. Krivosheeva, F. Arnaud D’avitaya, J.-L. Lazzari, V.E. Borisenko

Physica Status solidi (b) 245 1 142-148 (2008)

Controlled growth of aluminum oxide thin films on hydrogen terminated Si(001) surface

S. Vizzini, H. Oughaddou, C. Leandri, V.K. Lazarov, A. Kohn, K. Nguyen, C. Coudreau, J.-P. Biberian, B. Ealet, J.-L. Lazzari, F.A. D'avitaya, B. Aufray

Journal of Crystal Growth 305 26 (2007)

Controlled growth of aluminum oxide thin films on hydrogen terminated Si(001) surface

S. Vizzini, H. Oughaddou, C. Leandri, V.K. Lazarov, A. Kohn, K. Nguyen, C. Coudreau, J.P. Biberian, B. Ealet, J.-L. Lazzari, F. Arnaud D'avitaya, B. Aufray

Journal of Crystal Growth 305 26-29 (2007)

Growth of magnetic tunnel junctions on Si(001) substrates.

S. Olive-mendez, V. Le Thanh, I. Ozerov, S. Ferrero, C. Coudreau, J.-L. Lazzari, F. Arnaud D'avitaya, L. Ravel, P. Boivin

Thin Solid Films 515 6501-6506 (2007)

A novel quantum-well laser structure based on InAs1-xNx/GaSb system

M. Debbichi, F. A. Ben, A. Bhouri, M. Said, J.-L. Lazzari, Y. Cuminal, A. Joullie, P. Christol

Physica Status solidi (c) 4 2 592-594 (2007)

Resonant tunnelling versus thermally activated transport through strained Si1-xGex/Si/Si1-xGex quantum wells

J.A. Berashevich, V.E. Borisenko, E. Viktor, J.-L. Lazzari, F. Arnaud D'avitaya

Physical Review B 75 11 115336 (2007)

Resonant tunneling versus thermally activated transport through strained Si1-xGex/Si/Si1-xGex quantum well

J.A. Berashevich, V.E. Borisenko, J.-L. Lazzari, F. Arnaud D'avitaya

Virtual Journal of Nanoscale Science and Technology 15 12 149 (2007)

Induced electrostatic confinement of electron gas in W-designed strain-compensated Si/Si1-xGex/Si type II quantum wells

N. Sfina, J.-L. Lazzari, P. Christol, Y. Cuminal, M. Said

Journal of Luminescence 121 2 421-425 (2006)

Field effect on electron-hole recombination in Si/Si1-Xgex/Si quantum wells having a W-like type II potential profile

N. Sfina, J.-L. Lazzari, M. Said

Materials Science and Engineering C 26 2-3 214-217 (2006)

Modeling of the Stark effect in strained n-type Ge0.6Si0.4/Si/Ge0.6Si0.4 resonat tunneling diodes with graded electrostatic GexSi1-x (0.25

N. Sfina, N. S. Abdi-ben, J.-L. Lazzari, M. Said

Materials Science in Semiconductor Processing 9 (4-5) 737-740 (2006)

Strain-balanced Si1-xGex/Si type II quantum wells for 1.55 mu m detection and emission

N. Sfina, J.-L. Lazzari, J. Derrien, F.A. D'avitaya, M. Said

European Physical Journal B 48 2 151-156 (2005)