Gruyère ou Emmental ?
L’utilisation de différents précurseurs de Ti pour la croissance de films minces de TiO2 par Atomic layer deposition (ALD) conduit à des couches présentant des porosités et des propriétés diverses. Le travail effectué au département NM du CINaM en collaboration avec l’IM2NP, Schrödinger Inc. et Encapsulix SAS montre que les mécanismes de réaction sont différent selon qu’on utilise du TTIP* ou du TDMAT** lors de la croissance de de TiO2. Dans un cas, la couche est poreuse et instable alors dans le second, un film compact recouvre parfaitement la surface. Ces différences mises en lumière expérimentalement et expliquées par la simulation ont de plus, un fort impact sur les propriétés électriques de ces films.
Pour en savoir plus : Dufond et al. Chem. Mater. 32, 1393 (2020)
https://dx.doi.org/10.1021/acs.chemmater.9b03621
* Titanium tetraisopropoxide
** Tetrakisdmimethylaminotitanium